廣鎵光電的晶粒製造可分為前製程、後製程。

前製程說明如下：
蒸鍍
將符合規格要求的晶片放置於蒸鍍箱中，均勻於晶片蒸鍍一金屬導電層。
黃光
蒸鍍後，將電路設計以光罩投影的方式，把所需圖型轉印至晶片上。
化學蝕刻
經光罩投影處理後，再利用化學藥劑蝕刻，藉以去除晶片上不必要的部位。
合金
於投入晶粒後製程前，需將晶片經熱處理，使得各蒸鍍層更穩固。

後製程說明如下：
點測
重覆前述主要四大步驟處理後的晶片，再以點測機點測晶片上的每一顆晶粒，並將點測資料存成檔案以便於晶粒分類機抓取。
研磨
點測完畢後的晶片，將以研磨機將晶片磨薄。
切割
用雷射切割機將已經磨薄的晶片，切割成晶粒。
分類
將已經切割成晶粒的晶片，利用晶粒分類機依照相同規格分類成為同一頁成品。
目檢品管
分頁後晶粒再經過主要品管作業項目諸如晶粒外觀檢驗、電性驗證，檢驗完成之成品後等待出貨。