廣鎵光電的LED晶粒製程區分為上游磊晶及中游的晶粒製造：
上游磊晶製程：
廣鎵光電上游磊晶係採用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)製程。
廣鎵光電的MOCVD製程主要係將2吋藍寶石基板於長晶前放置於石墨盤上準備，待檢查電腦程式與機台及氣體流量正常後，即將三族金屬化合物，於磊晶爐形成金屬氮化物並附著於藍寶石基板上，初步完成長晶的過程。
完成長晶的晶片於再投入後段製程前，需要經過X-光繞射分析儀的結構分析與PL量測儀的波長分析，以確保其品質及符合規格要求。