研究發展是廣鎵光電永續經營的命脈，未來將以每年投入年營收5%~10%為研發經費，以維持公司超越同業的競爭力。廣鎵光電致力於LED高亮度、高品質與更多特殊規格設計，不斷精研發展，目前正與設備製造商就MOCVD製程改良共同進行研究開發。

廣鎵光電擁有多項有關LED產品的專利，目前於台灣、中國大陸、荷蘭、美國、日本、德國等地已獲證及申請中的專利權達100件以上。

廣鎵光電近年研發成果如下：
207 (8*10 mil)新產品開發成功，應用於Keypad背光源。
共金製程開發成功。
高亮度綠光發光二極開發完成。
515 (15*15 mil) 新產品發成功，應用於手機閃光燈及高亮度照明市場。
超高亮度藍光LED 晶粒開發完成。
Power chip大尺寸晶粒開發完成，應用於照明產品。
A10 (10*23 mil) LED 晶粒開發完成，應用於LCD 背光源產品。